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高溫儲(chǔ)存測(cè)試的核心邏輯非常簡(jiǎn)單：不通電，單純用高溫烤，看芯片能放多久不壞。

一、高溫儲(chǔ)存測(cè)試的核心目的與原理？

高溫儲(chǔ)存測(cè)試的物理基礎(chǔ)是阿倫尼烏斯方程：溫度每升高10°C，化學(xué)反應(yīng)速率（老化速率）通常會(huì)翻倍。

通過在高溫下（如150°C）長(zhǎng)期存放，我們可以模擬芯片在正常溫度下（如25°C或55°C）數(shù)年甚至數(shù)十年的老化過程。

二、失效機(jī)制

高溫儲(chǔ)存測(cè)試主要用來暴露以下失效機(jī)制：

1，金屬間化合物（IMC）過度生長(zhǎng)：這是最核心的檢測(cè)點(diǎn)。高溫會(huì)加速原子擴(kuò)散，導(dǎo)致焊點(diǎn)中的IMC越長(zhǎng)越厚。

2，柯肯達(dá)爾空洞：也就是常說的凸點(diǎn)內(nèi)部空洞，導(dǎo)致焊點(diǎn)內(nèi)部變空。

3，氧化：檢查引腳、鍍層在高溫下是否會(huì)嚴(yán)重氧化導(dǎo)致接觸不良。

4，材料退化：塑封料或底部填充膠在高溫下是否會(huì)分解、變脆或變色。

三、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與條件？

行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)是JEDEC JESD22-A103。測(cè)試通常在精密的高溫烘箱中進(jìn)行，不需要加偏壓（Unbiased），也就是芯片是不通電的。

常見等級(jí):

125°C —— 消費(fèi)級(jí)芯片（手機(jī)、PC）。

150°C —— 工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)（最常用）。

175°C —— 引擎周邊、SiC/GaN功率器件。

標(biāo)準(zhǔn)時(shí)長(zhǎng)：1000小時(shí)。通常在168h，500h，1000h取出進(jìn)行測(cè)試。

對(duì)于車規(guī)級(jí)（AEC-Q100 Grade 0），甚至可能要求測(cè)到2000小時(shí)。

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